VACUUM DEVICE磁控濺射原理分析

發布日期：2022-11-30      瀏覽次數：1301

VACUUM DEVICE磁控濺射原理分析



真空工業中的濺射是指用正離子轟擊目標金屬，使目標金屬的顆粒飛散并沉積在物體上。
本頁簡要說明了我們產品中主要使用的磁控濺射原理和其他具有代表性的濺射方法。

散射粒子的濺射技術有多種，但我們的濺射設備采用磁控濺射技術，濺射效率高。

原理是先在真空中產生等離子體。
等離子體是一種不穩定的狀態，其中帶正電的氣體離子原子（正離子）和帶負電的自由電子自由循環。由于放置在目標后面的磁鐵的作用力，它被密集地捕獲在磁場中。在此磁場中來回移動的正離子一個接一個地與靶表面的負電勢發生碰撞。
由此彈開（濺射）的目標金屬粒子將飛向樣品。
即，通過借用磁鐵的力量，能夠以較少的電力高效地產生等離子體，正離子聚集在磁場強的地方反復碰撞，成為濺射效率高的成膜方法。

磁控濺射法的特點

• 由于高密度等離子體區與樣品臺分離，對樣品的損傷小。

• 沉積率高

• 目標利用率低。在高血漿密度下消耗更多

• 目標僅限于導電金屬和合金

磁控濺射設備配置圖




磁控濺射

相關產品介紹

設備	特征	目標金屬
	MSP-mini 超小型濺射設備 對于光學顯微鏡，這是適合制作有光澤的 Ag 薄膜以及 SEM 和臺式 SEM 預處理的裝置。
	MSP-1S 是一款帶有內置泵的緊湊型濺射系統。 也可用于濺射鉑靶，可用于高達約50,000倍的高倍率觀察。




設備	特征	目標金屬
	MSP-20UM 針對各種應用的可調功能。設置條件后，可以使用全自動按鈕進行自動沉積。 可選傾斜旋轉樣品臺。提高轉彎性能。 配備氬氣導入，可鍍上更高純度的貴金屬薄膜。 聯鎖和安全機構也是重要的濺射設備。
	MSP-20MT  配備φ100mm尺寸的靶電極的4英寸晶圓用濺射裝置。 該設備概念基于 MSP-20，可對更廣泛的樣品進行涂層。
	該設備專為MSP-20TK鎢濺射而開發。它還可用于超高分辨率 SEM 觀察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 氬氣用作氣氛氣體。風冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升。





































































































































設備	特征	目標金屬
	采用磁控靶電極實現了直徑200mm的大面積樣品臺，滿足更大尺寸MSP-8in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時鍍膜8英寸晶圓和多個SEM樣品，提高檢測工作效率。
	采用磁控靶電極實現了直徑300mm的大面積樣品臺，滿足更大尺寸MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時鍍膜12英寸晶圓和多個SEM樣品，提高檢測工作效率。